第三代半导体材料应用于基地台设备之市场分析

摘要

由于基地台设备需具备较大传输功率、使用频率及耐高温等特性,GaN材料十分适合应用于此。对现行基地台发展趋势而言,GaN HEMT结构将逐渐取代旧有Si晶圆制造的LDMOS元件,且随著4G LTE及5G基地台持续布建,后续营收发展亦将逐步增长。

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