智慧终端开启IC设计新扉页
简介
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云端、物联网、大数据是近年来最热门的话题;在这趋势之下,身为「物联网之母」的智慧终端产品,仍是2016年IC设计商最主要的获利来源。对晶片商而言,零组件脱离不了运算、通讯和储存的功能;在运算方面,智慧行动装置中之应用处理器是IC设计产业中产值最大的显学;在通讯方面,RF功率放大器扮演极重要的角色;并且,自从Apple将NFC晶片嵌入智慧型手机内并应用于行动支付后,NFC晶片便成了当红炸子鸡,其多重用途也被广泛讨论。
由于数据的积累益发快速,储存装置与晶片的市场飞快成长,较传统硬碟更轻薄的固态硬碟(SSD)也在此时受到重视,其内之NAND Flash的需求更是迅速飙升。此外,正因具备轻薄特性,SSD作为资料中心之储存装置亦成为一逐渐发生的趋势。
不仅如此,IC大厂的布局同样相当值得注意。中国的崛起使得国际大厂纷纷与之合作,其中包括Qualcomm、联发科先后投资中国,以及Intel入股紫光集团,和展讯、瑞芯微等进行技术与市场策略的结盟;身为中国具竞争力的IC设计商,海思的走向亦十分令人关心。
从智慧行动装置出发,IC设计商不断寻找新的成长动能,以期在瞬息万变的世代中,继续为产业写下光辉崭新的一页。
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章节
第一章 智慧终端晶片发展:运算与储存
1-1 智慧型手机主晶片竞局
一.常胜军Samsung Galaxy S6 Edge拿下最佳新行动装置奖
二.Snapdragon系列之处理器晶片在MWC 2015展会中大放异彩
三.处理器厂商布局策略分析
四.TRI观点:主晶片仍是血红战场
1-2 4G通讯下,RF功率放大器的需求与对产业链的影响
一.4G通讯下,高效能RF功率放大器的需求
二.4G通讯下高效能RF PA的解决方案
三.4G通讯下,RF PA需求对产业链的影响
四.TRI观点:PA技术成熟,厂商需加强布局
1-3 NFC晶片应用在行动支付之发展分析
一.风生水起的行动支付正在改变支付型态
二.NFC感应支付是行动支付中重要的一环
三.安全机制在NFC行动支付中最是重要
四.IC设计厂商的发展具多元面向
五.TRI观点:NFC行动支付渐热,软硬整合之安全机制为其趋势
第二章 储存装置与晶片之发展趋势
2-1 PCIe SSD控制IC发展趋势
一.手持行动装置:尺寸是关键要素
二.PC:性价比、相容性与软体配合影响发展
三.DC:Total Cost of Ownership决定技术赢家
四.IC设计厂商的机会:客制化
五.TRI观点:不同市场重点各异,台厂机会在于客制化
2-2 从NAND Flash的发展探讨SSD未来趋势
一. NAND Flash的供给与需求-供给端无新进竞争者,需求端以SSD为成长动能
二.NAND Flash的技术正在转型中
三.NAND Flash的位元需求上升、价格下滑
四.SSD和HDD的竞争日趋激烈
五.SSD未来发展趋势受NAND Flash影响甚钜
六.TRI观点:SSD需求带动NAND Flash成长,大厂受惠
第三章IC晶片商之策略与竞局
3-1 Intel的左膀右臂展讯和瑞芯微你死我活?
一.Intel推SoFIA平台,联合展讯和瑞芯微强攻智慧型手机和平板机处理器市场
二.展讯跨足平板处理器市场,必然对瑞芯微构成重大威胁
三.瑞芯微面临3种可能结局:衰落、被并购、转型成功
四.TRI观点:展讯极具潜力,瑞芯微则需转型
3-2 从行业应用迈向消费者市场,海思的业务多元化之路
一.海思业务结构发生重大变化,手机晶片为成长主要动能
二.海思手机晶片业务发展前景分析
三.海思未来将重点支援华为企业级和消费者两大业务群发展
四.TRI观点:除营收成长主力的手机晶片外,穿戴式和物联网晶片是未来重点
图目录
图1.1.1 FinFET架构
图1.1.2 Intel Atom x3系列处理器
图1.2.1 4G手机全球渗透率逐年提高
图1.2.2 4G LTE通讯时,RF PA是最耗能的组件
图1.2.3 固定偏压操作下的RF PA使用效率示意图
图1.2.4 Envelope Tracking技术Block Diagram与操作偏压示意图
图1.2.5 利用数位预失真技术对PA的非线性特征进行补偿示意图
图1.2.6 4G LTE下,RF前端PA信号传送元件整合示意图
图1.3.1 2011~2015年全球行动支付交易次数变化
图1.3.2 行动支付生态体系
图1.3.3 2011~2015年手机与NFC手机出货量变化
图1.3.4 Apple Pay行动支付流程
图1.3.5 SE架构下支付行为发生时的资讯流
图1.3.6 3种安全元件的配置方式
图1.3.7 HCE架构下支付行为发生时的资讯流
图2.1.1 新技术导入市场成败的关键因素
图2.1.2 手持行动装置新技术导入市场的关键因素是物理尺寸
图2.1.3 PC市场价格是新技术导入市场的关键因素
图2.1.4 2013~2014年SSD与HDD在Amazon销售的价格走势
图2.1.5 TCO的概念是Data Center建置时最重要的考量
图2.1.6 HDD与Flash使用在Data Center的TCO比较
图2.1.7 Cloud DC可能的建置方案
图2.1.8 云端资料根据使用频率特性可视为不同的资料温度
图2.1.9 PCIe本身可平行处理,有不同的汇流排设计
图2.1.10 SSD Driver IC的客制化设计需求
图2.2.1 2011~2014年NAND Flash大厂产值占比变化
图2.2.2 2013~2014年NAND Flash终端应用分布
图2.2.3 2012~2015年NAND Flash制程节点演进
图2.2.4 SLC、MLC、TLC架构比较
图2.2.5 2011~2014年NAND Flash位元出货量与价格变化
图2.2.6 2011~2014年NAND Flash产值变化
图2.2.7 2012~2014年HDD与SSD出货量变化
图2.2.8 2012~2014年HDD与SSD产值变化
图2.2.9 2012~2013年SSD供货厂商占比
图2.2.10 2012~2015年单位SSD内搭载的NAND Flash平均容量变化
图2.2.11 2012~2015年SSD渗透率变化
图2.2.12 2012~2015年SSD出货量变化
图2.2.13 2012~2015年SSD产值变化
图3.1.1 展讯和瑞芯微分别成为Intel在手机和平板处理器市场的开路急先锋
图3.1.2 2013~2015年Android平板处理器厂商出货量变化
图3.1.3 展讯和瑞芯微ARM平板处理器Roadmap,瑞芯微在规格始终领先展讯
图3.1.4 Intel SoFIA平台Roadmap,展讯和瑞芯微均按此路线演进
图3.2.1 2013~2015年海思移动处理器出货量大幅增长
图3.2.2 2012~2017年手机晶片占海思营收比重变化
图3.2.3 海思已基本形成两大方向与四大产品线的业务结构
图3.2.4 海思移动处理器Roadmap
图3.2.5 从华为的业务群看海思未来重点发展方向
表目录
表1.1.1 2012~2015年MWC大会得奖装置
表1.1.2 MWC 2015大会上重点展出手机及其搭配之处理器晶片
表1.1.3 Qualcomm与Samsung高阶处理器比较
表1.1.4 Samsung Exynos 7处理器
表1.1.5 Qualcomm Snapdragon 400系列处理器
表1.1.6 Qualcomm Snapdragon 600系列处理器
表1.1.7 2014~2015年处理器之规格与价钱分布
表1.2.1 不同通讯模式下的PA需求
表1.2.2 iPhone手机不同世代下RF前端组件使用数量统计
表1.2.3 RF前端产业动态
表2.1.1 行动装置、PC与DC对新技术特征的需求
表2.1.2 手持行动装置常见的传输方式与速度
表2.1.3 PCIe传输效能也随著版本与汇流排数量不同而异
表2.2.1 HDD与SSD异同比较
表2.2.2 BCH和LDPC Code修正错误位元数比较
表3.2.1 高阶Android手机处理器供应商优劣势对比