TSMC加速布局CoPoS,台湾面板厂及相关材料、设备商藉FOPLP卡位Glass Core Substrate先机
AI半导体需求爆发驱动先进封装技术快速演进,面板级封装(FOPLP)成为各方角力的新战场。TrendForce分析,TSMC短期聚焦CoPoS(Chip-on-Panel-on-Substrate)并锁定310×310mm基板尺寸,2026年为相关设备与材料商的验证关键期,预计2027年进入试产,并规划于2028下半年正式量产。下一阶段布局重点则将转向Glass Core Substrate,合理量产时程推估落在2030年后。
Glass Core Substrate技术突破目前仍面临多重挑战。核心制程TGV(Through Glass Via)需克服雷射能量不稳定导致孔径一致性不足、钻孔过程产生的细微玻璃裂纹、蚀刻液难以深入10μm孔径影响导通效果,以及大规模量产条件下的动态对位精度等问题。在材料端,玻璃虽具备先天平整性佳的优势,但基板尺寸放大至500×500mm以上后,维持整面奈米级平整度的难度将大幅提升。此外,多层异质材料堆叠下的热膨胀系数(CTE)不匹配问题,也可能在制程中引发翘曲,进而影响曝光对位精度与整体良率。
在此背景下,TrendForce指出台湾面板厂具备先发优势。目前已有面板厂在 PMIC与RF等成熟制程的FOPLP上实现量产,封装尺寸达620×750mm,这既是发挥折旧完毕大尺寸面板产线剩余价值的最佳体现,亦创造额外现金流。更重要的是,面板厂多年积累的大尺寸方形玻璃搬送、对位与均匀沉积的知识技术,是向TGV等核心基板加工技术迈进的重要基础,与半导体厂及OSAT厂商之间存在清晰的差异化与互补空间。
台湾本土面板相关材料与设备厂商亦在关键环节有所布局。在材料端,特化厂商推出低温固化介电层材料,将制程温度压至180°C以下,从源头减少热应力累积,降低翘曲风险。在设备端,有厂商采用先以雷射改质,后再进行蚀刻的两阶段钻孔制程,相较传统直接雷射烧蚀,更能精准控制10μm以下孔形,已通过国际IDM大厂验证,出货量逐步提升。
TrendForce认为,台湾面板厂在大尺寸玻璃加工的工艺积累,若能与半导体大厂在先进封装与制程整合上的优势相互结合,辅以本土材料与设备供应链的生态系支撑,并顺应TSMC持续推进在地化采购的政策,将有望压缩Glass Core Substrate技术成熟的学习曲线,并为台湾面板产业找到转型升级的方向。


