2017-06-21 拓墣产业研究院

Ⅲ-V族半导体磊晶厂发展状况

焦点报告 IC制造与封测

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摘要

半导体制程的微缩必须伴随著电晶体效能提升才有延续下去的意义，由于矽本身物理特性的限制，使制程上需考虑采用其他半导体材料，其中部分Ⅲ-V族半导体材料拥有较高的电子迁移率、频率响应、线性度及功率与低操作电压等优异的物理特性，因此在无线通讯、高速光通讯、图像识别与功率元件的市场需求高涨，Ⅲ-V族半导体发展越来越重要，本篇研究报告将专注Ⅲ-V族磊晶厂的发展趋势与以剖析。

Ⅲ-V族半导体磊晶厂发展状况

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