AI推动Si-Cap整合封装：技术路线、主要厂商与竞争态势
摘要
随著AI晶片对电源稳定性的需求提升，Si-Cap(矽电容)与其嵌入式/整合式之封装成为重要的技术发展方向，关键厂商接二连三宣布其矽电容相关计画，包含2026年4月14日SEMCO宣布计画于越南扩大AI封装生产线，用于生产Si-Cap Embedded Substrate，并在5月宣布取得北美大客户约10亿美元长约。2026年5月19日Analog Devices宣布以15亿美元现金并购美国Si-Cap厂商Empower，以跨入AI供应链。
本篇报告主要深度解析：(1) Si-Cap技术背景；(2) Si-Cap主要厂商技术差异(Murata、SEMCO、爱普、Empower、台积电、Samsung、Intel)；(3) AI时代的Si-Cap嵌入式/整合式封装需求。期能解析Si-Cap的技术原理、需求成长原因，以及与现有的厂商竞争态势。
一. Si-Cap技术背景
二. Si-Cap主要厂商技术解析
三. AI时代的Si-Cap嵌入式/整合式封装需求
四. 拓墣观点
图一 电容充放电原理
图二 电容结构示意图与电容值公式
图三 Si-Cap深沟制程
图四 Si-Cap可封装位置
图五 电容阶层图
图六 IPDiA Embedded Si-Cap于Interposer
图七 SEMCO Si-Cap可封装位置
图八 DRAM制程技术Roadmap
图九 爱普S-SiCap可封装位置
图十 Empower ECAP可封装位置
图十一 台积电eDTC于CoWoS interposer
图十二 Samsung 2.xD Cube平台
图十三 Intel eDTC/eMIM-T于EMIB Substrate
表一 不同种类电容的材料与特性比较
表二 Si-Cap主要供应商比较表
表三 Foundry Embedded Si-Cap技术比较
表四 2025～2028年各AI晶片先进封装规格
