2025-09-04 拓墣产业研究院

中国著手管制InP为产业中、下游发展带来隐忧

焦点报告化合物半导体

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摘要

中国商务部于2025年2月4日公布2025年第10号公告，宣布管制磷化铟(InP)、三甲基铟(Trimethylindium，TMI)、三乙基铟(Triethylindium，TEI)及其相关制造技术。中国此举被视为反制美国半导体技术管制的策略之一，由于中国厂商在铟元素上游供应链具有关键地位，该管制措施势必会对InP元件的未来发展投下变数。

一. 三大趋势正逐步推升InP元件的终端应用需求
二. 中国管制InP、TMI、TEI牵动铟产业链中、下游发展
三. InP元件是否扩大导入手机、智慧穿戴先看2025年第四季
四. 拓墣观点

图一　InP元件与GaAs元件现阶段主要应用领域
图二　带动InP元件终端需求的三大趋势
图三　2024年全球铟产量占比

表一　Si、GaAs、InP、SiC、GaN材料特性
表二　全球铟2023、2024年产量及2024年产能
表三　中国铟产业链上游指标厂商
表四　铟产业链与中国厂商优势分析

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