2023-05-17 拓墣产业研究院

全球InP产业发展现状剖析

焦点报告化合物半导体

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作为化合物半导体材料，InP(磷化铟)半导体元件具有饱和电子漂移速度高、抗辐射能力强、导热性好、光电转换效率高、禁带宽度较高等特性，在光通信、资料中心、新一代显示、人工智慧、无人驾驶、航太等领域具有广阔的应用前景。

目前InP材料主要用于制造光子元件和微波射频元件，其在光子领域具有波长1,000nm以上的发射和探测能力，同时在高频射频应用中具有高速和低杂讯优势。本篇报告主要围绕InP最关键的光子元件应用市场进行深入探讨。

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