全球GaN产业发展现状浅析
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摘要
GaN材料具有高击穿场强、高饱与电子漂移速率,以及抗辐射能力强和化学稳定性良好等优良特性,可制造光电子、功率半导体与高频微波射频元件,广泛应用于LED、变压器、资料中心、5G通讯、电动车等场景。
目前GaN晶体生长主要依附于GaN以外的衬底上进行,主要包括Si、SiC与蓝宝石(Sapphire)等。本篇报告主要围绕GaN功率元件、微波射频元件与原材料三方面对GaN产业进行阐述。
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