全球SiC衬底市场解析
摘要
第三代半导体产业链可分为衬底材料制备、外延生长、元件制造与下游应用，其中衬底材料的电学性能决定下游晶片功能与性能的优劣。根据电学性能不同，SiC衬底可分为导电型(N-Type)和高纯半绝缘型(HPSI)两类。
导电型SiC衬底的电阻率区间为15～30mΩ·cm，其通常生长SiC同质外延，用来制造耐高温高压的SiC功率半导体元件，可应用于电动汽车、可再生能源、智慧电网等领域。半绝缘型SiC衬底的电阻率≥
105Ω·cm，通常生长GaN异质外延，用于制造GaN微波射频元件，适合通信基站、国防场景。因此无论对SiC还是GaN产业链，SiC衬底材料的重要性不言而喻，业界亦持续给予高度关注。
