2026年第二季全球DRAM市场份额格局
摘要
本篇报告以长鑫科技崛起为切入点，运用赫芬达尔－赫希曼指数(HHI)、古诺－纳什博弈模型与混合寡头博弈理论，对全球DRAM产业正在经历的结构性变迁进行量化与机制层面的系统分析。根据研究发现，长鑫崛起并非简单的「新增一个供应商」，而是沿4条主线对既有产业秩序构成结构性挑战：(1)市场集中度从准垄断区间(HHI约3300)向寡头竞争区间(HHI约2850)不可逆地迁移，预计2028年将进一步降至约2664；(2)长鑫作为不受卡特尔资本纪律约束的外生变数，其逆周期投资特征与混合寡头属性(利润与社会福利双目标函数)系统性的瓦解三寡头合谋所需的行动一致性与惩罚机制可信度；(3)长鑫的产能释放填补当前DRAM市场「双重短缺」(实际产出远低于卡特尔最优产量与社会最优产量)的缺口，推动产业产出从物理受限水准向卡特尔利润最大化水准回归，释放被高价抑制的潜在需求；(4)长鑫的存在降低中国对海外DRAM之绝对依赖，削弱「断供」威胁的可信度，为各方「竞争性共存」创造缓冲空间；然长鑫在通用DRAM领域具备搅局能力，但在HBM高阶储存领域仍存在2～3代以上技术差距，全球DRAM市场的「双轨制」分化将长期存在。
