• 预估2Q26一般型DRAM合约价格季增58～63%，NAND Flash合约价格季增70～75%
• DRAM原厂积极将产能转向server相关应用，尽管部分终端需求面临下修风险，整体供给持续紧缩、价格仍维持上行趋势
• NAND Flash产能向enterprise SSD倾斜，消费应用因价格压力缩减规格

根据TrendForce最新记忆体价格调查，2026年第二季因DRAM原厂积极将产能转向HBM、server应用，并采「补涨」策略拉近各类产品价差，尽管终端市场面临出货下修风险，预估整体一般型DRAM(conventional DRAM)合约价格仍将季增58～63%。NAND Flash市场持续由AI、资料中心需求主导，全产品线连锁涨价的效应不减，预计第二季整体合约价格将季增70～75%。

分析各类DRAM产品价格变化，PC DRAM部分，即便整机需求出现下修，但原厂同步缩减对PC OEM、模组厂的供货，导致原厂满足率较低的PC OEM须加价向原厂或模组厂采购，对价格形成支撑。 

北美云端服务供应商(CSP)对AI推论的应用情境逐渐明确，带动AI server、通用型server需求上升，大容量RDIMM成为主要采购目标。供给方面，原厂考量server DRAM的获利居各类产品之首，优先分配位元产出至此。目前原厂也正与主要客户洽谈长约（LTA），作为未来扩产依据，然短期供给仍维持紧缩。

智慧型手机方面，品牌因记忆体成本压力持续累积，不排除自2026年第二季起调整生产计画，但预估上半年对mobile DRAM的拉货力道暂不致出现大幅收缩。整体而言，随著原厂与指标客户谈定第二季价格、立下涨幅基准，加上原厂欲藉由补涨缩小各应用间价差，mobile DRAM合约价将较前一季持续走升。

Graphics DRAM部分，记忆体价格上涨造成笔记型电脑、游戏机需求动能减弱，且可分配至GDDR的产能依然不足，第二季报价持续上修。Consumer DRAM的客户多专注于薄利多销的低单价产品，2025年初至今的涨价潮已造成部分产品的记忆体成本高于售价，故采购需求略有见缓，但大厂逐步退出consumer DRAM供给仍为产业失衡主因，供不应求情况未见缓解。

AI算力军备竞赛白热化，产能排挤效应驱动NAND Flash价格续强

2026年第二季NAND Flash原厂虽透过制程升级、调升QLC比例提高位元产出，但增加幅度有限。来自AI server的需求保持强劲，PC、智慧型手机厂商则被迫缩减产品容量，以抑制NAND Flash需求量。

即便PC需求不见好转，但买方预期client SSD价格将持续上行，且担心产能遭server完全排挤，出现库存回补需求。然供应商为追求营业利益最大化，持续缩减对client SSD的供给，第二季价格涨势不坠。

随著生成式AI进入大规模应用阶段，高效能SSD需求显著增长，enterprise SSD订单成长未见放缓。供给方面，2026年将明显缺货，新产能预计要到2027年底或2028年才能大规模开出。CSP为确保供货稳定，愿意接受涨价并签订LTA，更增添原厂上调价格动力。

eMMC /UFS部分，即使智慧型手机市场低迷，旗舰机AI功能对高速传输的需求维持刚性，车用、工控需求也小幅回温。从供给面来看，eMMC/UFS与enterprise SSD在部分制程上高度重叠，但单位利润远低于后者，导致供给缺口成全产品线之冠，预计第二季价格也将大幅提升。

由于零售市场与记忆卡、随身碟需求在涨价压力下持续萎缩，模组厂端亦面临成本与销售双重困境，NAND Flash wafer需求收敛。在库存调节与利润的考量下，wafer成为原厂出货优先顺序最低的产品，因市场流通量极度稀缺，第二季价格维持上涨。