2018～2022年中国IC设计产值变化
中国IC设计在全球IC设计产业中有其重要性与特殊性，在中国半导体自主化政策引导下，多家厂商纷纷冒出，让中国IC设计产值在2022年持续成长。时序迈入2023年，中国半导体国产化进程持续，不过企业文化和产品本质有调整空间，加上美国对中国半导体禁令扩大，将成为牵动中国IC设计产业变化的重要因素。 [...]
AI于汽车产业的应用类型
AI于汽车产业的应用 Edge AI对车的重要性 多接取边缘运算(MEC)技术应用 拓墣观点 [...]
2019～2030年商用车电动化预估
商用车市场规模与电动化发展 电动商用车款与设计 商用车队计画 拓墣观点 [...]
BJT、MOSFET、IGBT性能对比
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)全称绝缘栅双极型电晶体，是车用功率半导体中最核心产品。从原理来看，IGBT是由BJT和MOSFET组成的复合功率半导体器件，不仅具有MOSFET开关速度高、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小等优点，还具备BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的特点。电压范围覆盖600～ [...]
SiC衬底类别与应用
第三代半导体产业链可分为衬底材料制备、外延生长、元件制造与下游应用，其中衬底材料的电学性能决定下游晶片功能与性能的优劣。根据电学性能不同，SiC衬底可分为导电型(N-Type)和高纯半绝缘型(HPSI)两类。 导电型SiC衬底的电阻率区间为15～30mΩ·cm，其通常生长SiC同质外延，用来制造耐高温高压的SiC功率半導體元件 [...]
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